«Самсунг» сделала мобильную DRAM с насыщенностью 8 Гбит

«Самсунг» Организация «Самсунг» Электроникс Co., Ltd. сообщила о подготовке первого в промышленности чипсета мобильной памяти LPDDR4 DRAM объёбог 8 Гбит, который различается невысоким энергопотреблением, и небывалыми в своём классе насыщенностью и мощностью.

Сделанная подвижная DRAM произведена с соблюдением 20-нм технических общепризнанных мерок, позволивших расположить на одном кристалле 1 Гигабайт материнской платы. Чипсет с фирменным внешним видом ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) характеризуется повышенной пропускной возможностью на 1 вывод, достигающей 3200 Mbit/с. Это вдвое выше характеристик показанных на рынке 20-нм микросхем LPDDR3 DRAM, кроме того, новинка употребляет до 40% меньше энергии.

«Самсунг» сделала мобильную DRAM с насыщенностью 8 Гбит

4 кристалла насыщенностью 8 Гбит могут быть соединены в одном каркасе. По словам компании-производителя, модули материнской платы объёбог 4 Гигабайт считаются оптимальным решением для мобильных телефонов следующего поколения, включая телефоны с огромными UHD-экранами, микропланшеты и тонкие компьютеры со высоким разрешением экрана.

Глобальное изготовление мобильной памяти LPDDR4 DRAM от «Самсунг» начнётся в 2014 году.

Раньше редакторы THG попытались учесть все моменты и обнародовали раз в месяц восстанавливаемый источник, в котором предложили на самом деле самый лучший твердотельный накопитель в любой ценовой категории — от выгоднее $100 до лучшего сектора. Детальнее про это читайте в публикации «Самый лучший SSD: нынешний тест рынка». Попутно вы найдёте там сноски на наиболее важные развёрнутые обзоры, если пожелаете уточнить что-то.

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *